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J-GLOBAL ID：200903089534975070

半導体レーザ装置および光ディスク再生記録装置

Inventor： 河西 秀典 ,  山本 圭 ,  蛭川 秀一
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (3)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002323583
Publication number (International publication number)：2004158666
Application date： Nov. 07, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】発振波長が760nm以上で800nm以下であり、高信頼性、長寿命、かつ、高出力な半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】GaAs基板101上に、AlGaAs下ガイド層105、InGaAsP多重歪量子井戸活性層107、AlGaAs上ガイド層109を積層している。InGaAsP多重歪量子井戸活性層107とAlGaAs上ガイド層109との間に、AlGaInAs上界面保護層108を設け、InGaAsP多重歪量子井戸活性層107とAlGaAs下ガイド層105との間に、AlGaInAs下界面保護層106を設ける。これにより、上、下ガイド層109,105の界面から多重歪量子井戸活性層107側への結晶欠陥の増殖を抑制する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、下ガイド層、InGaAsPからなる一層または複数層の量子井戸層および複数のバリア層を有する量子井戸活性層、上ガイド層が少なくとも積層されており、発振波長が760nm以上800nm以下である半導体レーザ装置において、 AlGaInAsまたはAlGaInAsPからなる上、下界面保護層が、上記量子井戸活性層と上記上ガイド層との間と上記量子井戸活性層と上記下ガイド層との間に設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S5/343 ,  H01S5/223

FI (2)：

H01S5/343 ,  H01S5/223

F-Term (8)：

5F073AA09 ,  5F073AA22 ,  5F073AA89 ,  5F073BA06 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28