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J-GLOBAL ID：200903089547978109
半導体パワーモジュールおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993223389
Publication number (International publication number)：1994188363
Application date： Sep. 08, 1993
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 簡素な構造で、安価で、小型でしかも高速で動作し得る装置を得る。【構成】 DBC基板の構造を有する電力用基板221に設けられている銅製のパターン225が、装置の外側表面に露出している。このため、パターン225が外部の放熱板などに直接接触するように、装置を取り付けることにより、銅ベース板を備えることなく、装置の主回路に発生する熱を外部に放出することができる。【効果】 銅ベース板を必要としないので、温度変化に伴う電力用基板221の変形がない。このため、回路に接続される端子等にSベント構造が必要でないので、高速化かつ小型化が可能で、しかもシリコーンゲルを要しないので構造が簡素である。
Claim (excerpt)：
制御信号に応答して負荷へ供給する電流の遮断および接続を反復する電力用スイッチング半導体素子が箱状の外囲器に収容された半導体パワーモジュールであって、前記外囲器の底部が、耐熱性絶縁材を含んだ電力用基板本体と、前記電力用基板本体の上主面上に結合して配設され、前記電力用スイッチング半導体素子が接続される熱および電気良導性の電力用配線パターンと、前記電力用基板本体の下主面上に結合して配設され、前記電力用配線パターンと実質的に同一の材料を有する熱良導性の板材と、を一体的に形成してなる電力用基板を備え、前記板材が前記外囲器の下側表面に露出していることを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (2)：
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