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J-GLOBAL ID：200903089549042658

四ほう酸リチウム単結晶の育成方法

Inventor： 小松 隆一
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995033439
Publication number (International publication number)：1996225399
Application date： Feb. 22, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】透明で白金の溶解を可及的に防止した高品質の四ほう酸リチウム単結晶を高い成長速度で育成できる四ほう酸リチウム単結晶の育成方法を提供する。【構成】原料の四ほう酸リチウムを溶解するときと種結晶を引き上げるときの雰囲気条件を最適化する。具体的には酸素を不活性ガスで希釈した乾燥雰囲気ガスを1時間当たり育成装置の内容積の0.2〜1.4倍の量で育成装置内に導入して四ほう酸リチウム原料を融解した後、雰囲気ガス中の酸素の体積を1時間当たり育成装置の内容積の0〜0.2倍の量で育成装置内へ導入して種結晶を引き上げる。

Claim (excerpt)：

雰囲気ガスを内部に導入可能な育成装置内で四ほう酸リチウム原料を融解し、融解した四ほう酸リチウム融液に種結晶を浸した後、種結晶を引上げる単結晶の育成方法において、四ほう酸リチウム原料を融解する際に、酸素を不活性ガスで希釈した乾燥雰囲気ガスを1時間当たり育成装置の内容積の0.2〜1.4倍の量で育成装置内に導入することを特徴とする四ほう酸リチウム単結晶の育成方法。

IPC (3)：

C30B 29/22 ,  C30B 27/02 ,  H03H 3/08

FI (3)：

C30B 29/22 C ,  C30B 27/02 ,  H03H 3/08