Pat
J-GLOBAL ID：200903089551733382
合金とその製造方法及びX線マスクとその製造方法及び半導体デバイスとその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998015460
Publication number (International publication number)：1999209840
Application date： Jan. 28, 1998
Publication date： Aug. 03, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高いX線阻止能、アモルファス構造、再現性の高い低応力特性を兼ね備えたX線吸収体材料を得る。【解決手段】 TaGeRe合金膜をX線吸収体1として用いる。TaGeRe合金膜は、高いX線阻止能を持つアモルファス膜であり、スパッタ成膜時の応力の再現性も高い。TaGeRe膜の応力は、合金組成及びスパッタガス圧の調節により容易に低応力に制御可能である。また、成膜後のアニール処理により応力を制御することもできる。このTaGeRe膜をX線吸収体1に適用することにより、位置歪みの小さい高精度なX線マスクを容易に得ることができる。
Claim (excerpt)：
少なくともTa、Ge、及びReを含有する合金。
IPC (6)：
C22C 27/00
, C22C 27/02 103
, C23C 14/34
, G03F 1/16
, H01L 21/027
, C22C 45/00
C22C 27/00
, C22C 27/02 103
, C23C 14/34 A
, G03F 1/16 A
, C22C 45/00
, H01L 21/30 531 M
