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J-GLOBAL ID：200903089555838898

シリコンウエハ切断装置

Inventor： 浅野 則雄
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992269927
Publication number (International publication number)：1994120334
Application date： Oct. 08, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板の収量を増加させ製造コストを低下できるシリコンウエハ切断装置を得る。【構成】 シリコンウエハ3の厚さを設定すると切断可能なレーザー出力及び切断幅を設定するとともにレーザースポット9をシリコンウエハ上に照射するレーザー装置10と、入力されるシリコンウエハ3の直径と半導体基板3aの寸法及び切断幅からシリコンウエハ3の切断パターンを生成して切断能率の高い切断パターンとレーザースポット9の走査手順を設定し、走査手順に従ってXYテーブル1を駆動する信号を出力するXYテーブル制御部14を備える。

Claim (excerpt)：

X軸とY軸方向に移動可能なXYテーブル上に載せられたシリコンウエハを切断して半導体基板を得るシリコンウエハ切断装置において、上記シリコンウエハの厚さを設定すると切断可能なレーザー出力及び切断幅を設定するとともにレーザースポットを上記シリコンウエハ上に照射するレーザー装置と、入力される上記シリコンウエハの直径と上記半導体基板の寸法及び上記切断幅から上記シリコンウエハの切断パターンを生成して切断能率の高い切断パターンと上記レーザースポットの走査手順を設定し、上記走査手順に従って上記XYテーブルを駆動する信号を出力するXYテーブル制御部を備えたことを特徴とするシリコンウエハ切断装置。

IPC (2)：

H01L 21/78 ,  B28D 5/00