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J-GLOBAL ID:200903089559870532

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001031786
Publication number (International publication number):2002237335
Application date: Feb. 08, 2001
Publication date: Aug. 23, 2002
Summary:
【要約】【課題】 電解液中の水分の問題及び半導体層と対電極との間の距離の問題を解決し、光電変換効率及び長期信頼性に優れた光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記電解質層を構成する電解液中に脱水作用及び絶縁性を有する粒子を配合する。
Claim (excerpt):
少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記電解質層を構成する電解液中に脱水作用及び絶縁性を有する粒子を配合したことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (8):
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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