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J-GLOBAL ID：200903089569704835
グロー放電を利用するフレキシブル回路基板の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991347521
Publication number (International publication number)：1993251843
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ポリイミドフィルムの片面または両面上に金属薄膜層を有し、ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性が良好であるフレキシブル回路基板の製造方法に関する。【構成】 ポリイミドフィルムの片面もしくは両面上に金属層を有するフレキシブル回路基板の製造において、このポリイミドフィルムの表面を窒素酸化物を含むガスのグロー放電に暴露した後、この表面上に銅ニッケル合金薄膜を形成し、この銅ニッケル薄膜上に銅薄膜を形成することによる、フレキシブル回路基板の製造方法に関する。
Claim (excerpt)：
ポリイミドフィルムの片面を一種類またはそれ以上の窒素酸化物を含むガスのグロー放電に暴露した後、該ポリイミドフィルムの片面上に、銅ニッケル合金をターゲット材料とするスパッタリングによって銅ニッケル合金薄膜を形成し、該銅ニッケル合金薄膜の上に、銅をターゲット材料とするスパッタリングによって銅薄膜を積層することを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方法。
IPC (4)：
H05K 3/00
, H05K 1/09
, H05K 3/24
, H05K 3/38
