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J-GLOBAL ID：200903089571384570

面入出力光電融合素子

Inventor： 小坂 英男
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992090995
Publication number (International publication number)：1993299689
Application date： Apr. 10, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基本的な層構造は同一で低いレーザ発振閾値の面発光レーザ素子と、広い受光帯域を有する受光素子を同一面上に作製する。【構成】 DBR2、4及び11によって共振器を構成し、DBR4とDBR11の間に挿入された活性層兼吸収層8によってそれぞれ発光部17、受光部16とする。更に受光部には媒質内波長の半分のスペーサ層3を挿入することによって、受光帯域を広げている。【効果】 垂直共振器型面発光半導体レーザを作製する技術を用いて簡単な層構造の変更をするだけで、低閾値、低抵抗を実現できる。

Claim (excerpt)：

基板上に第一導伝型の第1の多層膜反射鏡と、第一導伝型の第1のスペーサ層と、活性層と、第一導伝型とは反対の導伝型の第二導伝型の第2のスペーサ層と、第二導伝型の第2の多層膜反射鏡とが形成され、その形成面に垂直方向に共振器を構成してある構造において、前記第1の多層膜反射鏡の中の一層を部分的に厚くすることによって二重共振器を構成し、単共振器構造の発光部と二重共振器構造の受光部を同一基板上に形成していることを特徴とする面入出力光電融合素子。