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J-GLOBAL ID：200903089600689157

誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 神野 伊策 ,  林 重徳 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992321577
Publication number (International publication number)：1994168879
Application date： Dec. 01, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 多元イオンビームスパッタリング法によってペロブスカイト型誘電体薄膜を安定に形成するための条件を提供すると共に、低い基板温度での誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 基板10としてMgO(100)単結晶基板を用い、ターゲット5、6、7及び8としてそれぞれPb、La、Zr及びTiの金属ターゲットを用いた。そして、イオン源1、2、3及び4からアルゴンイオンビームを照射し、各ターゲットを構成する元素を独立に蒸発させて基板10上にPbTiO3 誘電体薄膜9を形成する。この場合、基板10を加熱せずに、エキシマレーザ12によるパルス紫外線を、50〜500mJ/cm2 の範囲で基板10に照射する。

Claim (excerpt)：

一般式ABO3 で構成されるペロブスカイト型複合化合物からなる誘電体薄膜の製造方法であって、Aサイト(但し、Pb、Ba、Sr又はLaのうち少なくとも1種類の元素を含む。)及びBサイト(但し、Ti及びZrのうち少なくとも1種類の元素を含む。)を構成する元素からなる複数の金属ターゲットを酸化性ガスを含む減圧下の形成槽内に配置し、各々のターゲットに不活性ガスイオンを照射することによってそれぞれの金属ターゲットを構成する元素を独立に蒸発させ、基板上にペロブスカイト型複合化合物薄膜を形成することを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭64-006397
  
• 特開昭61-047005
  
• 特開平3-173770
  
• 特開平3-103308
  
• 特開平4-065397