Pat

J-GLOBAL ID：200903089604403355

窒化チタン成膜の前処理方法および窒化チタン膜の成膜方法

Inventor： 角 ▲博▼文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993069198
Publication number (International publication number)：1994260455
Application date： Mar. 03, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体基板に損傷を与えることなくその表面の清浄化を図るとともに、その半導体基板表面に窒化チタン膜を成膜することによりオーミック特性の向上を図る。【構成】 半導体基板11に窒化チタン膜15を成膜する前に行う前処理方法であって、圧力雰囲気を非酸化性の真空度にした後、当該圧力雰囲気に希ガスを導入して希ガスによる低エネルギーのプラズマを発生させ、そのプラズマによって半導体基板11の表面を低いエネルギーでエッチングするソフトエッチングを行う。その後、希ガス雰囲気を半導体基板が酸化されない真空度の圧力雰囲気にし、さらに連続して、その圧力雰囲気に、窒化チタン膜を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入して、半導体基板に窒化チタン膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に窒化チタン膜を成膜する前に行う前処理方法であって、圧力雰囲気を非酸化性の真空度にした後、当該圧力雰囲気に希ガスを導入して希ガスによる低エネルギーのプラズマを発生させ、そのプラズマによって前記半導体基板の表面を低いエネルギーでエッチングするソフトエッチングを行うことを特徴とする窒化チタン成膜の前処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-051630
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-079319   Applicant：三菱電機株式会社