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J-GLOBAL ID:200903089608259771

オーミック電極

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小沢 信助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993233118
Publication number (International publication number):1995094709
Application date: Sep. 20, 1993
Publication date: Apr. 07, 1995
Summary:
【要約】【目的】 接触抵抗を大幅に低減することができる。【構成】 半導体素子のオーミック電極であって、p形InxGa1-xAsyP1-y(x=0〜1、y=0〜1)層と、このp形InxGa1-xAsyP1-y層上に積層されたp形高キャリヤ濃度InAszP1-z(z>0)層と、このInAszP1-z層上に積層された電極金属、を有することを特徴としている。
Claim (excerpt):
半導体素子のオーミック電極であって、p形InxGa1-xAsyP1-y(x=0〜1、y=0〜1)層と、このp形InxGa1-xAsyP1-y層上に積層されたp形高キャリヤ濃度InAszP1-z(z>0)層と、このInAszP1-z層上に積層された電極金属、を有することを特徴としたオーミック電極。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭62-183176

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