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J-GLOBAL ID：200903089622992970

半導体基板のエッチング方法及び装置

Inventor： ローラント シユポーラー ,  ヨーゼフ マツーニ ,  アレクサンダー グシユワントナー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997151585
Publication number (International publication number)：1998070102
Application date： May. 26, 1997
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板11の表面12にレジストを塗布しない場合に半導体基板の裏面13上の厚い膜もエッチングすることのできるエッチング装置を提供する。【解決手段】 エッチング液15は微細な液滴の形で半導体基板11の裏面13上に吹付けられ、半導体基板11は100°C以下に加熱される。

Claim (excerpt)：

表面(12)にレジストを塗布しない半導体基板(11)の裏面(13)のエッチング方法であって、a)半導体基板(11)を処理室(2)内に導入し、b)半導体基板の表面(12)上に保護ガス(16)を導き、c)半導体基板の裏面(13)上にエッチング液(15)を吹付け、エッチング生成物及び過剰なエッチング液成分を排出することを特徴とする半導体基板のエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-132246