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J-GLOBAL ID：200903089628288980
複合フィルムおよびそれを用いた転写バンプ形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993036575
Publication number (International publication number)：1994252150
Application date： Feb. 25, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子や電気・電子部品、電気回路などに高精度で、しかも容易に接続や接点として用いるバンプを形成でき、再利用が可能な複合フィルム、およびこのフィルムを用いた転写バンプ形成方法を提供する。【構成】 ポリイミド樹脂などからなる絶縁性フィルム1の表裏面に貫通し、かつ一方の表面から突出するように半田や錫、鉛、インジウムなどの融点450°C以下の低融点金属体3が溶融離脱可能な状態でメッキ充填にて保持されており、他面には導電層2が形成されている。導電層2には微小孔が形成されている。
Claim (excerpt)：
絶縁性フィルムの表裏面に貫通し、かつ絶縁性フィルムの一方の表面から突出するように融点が450°C以下の低融点金属体が保持され、絶縁性フィルムの他方の表面には微小孔を有する導電層が形成されていることを特徴とする複合フィルム。
Patent cited by the Patent：
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