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J-GLOBAL ID：200903089628547153

真空処理装置

Inventor： 芦沢 研吾 ,  高添 敏彦
Applicant, Patent owner： テル・バリアン株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308897
Publication number (International publication number)：1995161598
Application date： Dec. 09, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体ウエハに付着する塵埃の量を低減することができ、歩留まりの向上を図ることができ、また、スイッチをオン・オフすることによって、帯電、除電の制御が容易な真空処理装置を提供することにある。【構成】半導体ウエハ12に所定の処理を施す真空処理室13と、内部を真空排気可能に構成されたロードロック室14とを備え、このロードロック室14を介して前記半導体ウエハ12を前記真空処理室13内に搬入・搬出するよう構成された真空処理装置において、前記ロードロック室14にガラス、テフロン樹脂等の帯電体23を設け、この帯電体23に直流電源29によって電圧を印加し、前記ロードロック室14内で発生した塵埃を静電気により帯電体23に吸着させるように構成したことにある。

Claim (excerpt)：

被処理物に所定の処理を施す真空処理室と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備え、この予備真空室を介して前記被処理物を前記真空処理室内に搬入・搬出するよう構成された真空処理装置において、前記予備真空室内に設けられた帯電体と、この帯電体に電圧を印加し、前記予備真空室内で発生した塵埃を静電気により帯電体に吸着させる電圧印加手段と、を具備したことを特徴とする真空処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/02 ,  B08B 6/00 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/68