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J-GLOBAL ID：200903089633492146
膜パターニング方法,半導体素子の製造方法並びに薄膜太陽電池及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997176188
Publication number (International publication number)：1999026427
Application date： Jul. 01, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 膜を簡易にパターニングする方法、及び、この方法を用いて薄膜太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】 第1の膜1上に第2の膜2を積層した積層体3に対して、、ノズル4にて大気圧より高圧の液体5を第2の膜2の除去対象領域に向けて噴射し、液体5の圧力によって第2の膜2の一部を除去して、第2の膜2のパターニングを行う。第1の膜1へのエッチング速度と第2の膜2へのエッチング速度との比が1対10以上であるような液体5を使用する。使用する液体5のpHは2.5〜6.0または8.0〜11.5の範囲内とし、噴射圧力は100〜500kg/cm2 の範囲内とする。このようなパターニング方法を、集積型薄膜太陽電池の透光性導電膜,光電変換膜,裏面電極膜のパターニング加工に利用する。
Claim (excerpt)：
下地体に被着された膜の一部を除去してパターニングする方法において、加圧した液体を前記膜の除去対象の領域に噴射することを特徴とする膜パターニング方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/306 R
, H01L 31/04 B
