Pat

J-GLOBAL ID：200903089635789812

非晶質炭素膜及びその製造方法及び半導体装置

Inventor： 遠藤 和彦 ,  辰巳 徹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996049764
Publication number (International publication number)：1997246263
Application date： Mar. 07, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低比誘電率で膜中水分が少なく、かつ耐熱性に優れた配線層間絶縁膜材料と、それを配線層間絶縁膜とする半導体装置を提供する。【解決手段】 真空装置内にあらかじめトランジスタ、およびアルミニウム等で配線を形成したシリコン基板を設置し、続いて真空装置中にフルオロカーボンやSF6 等のフッ素系ガスを流入させ、さらにベンゼン環を含有する芳香族炭化水素を同様に流入させる。続いてこれらのガスを放電させてプラズマ化し、プラズマ中に生成されたこれらの原料ガスの活性種により含フッ素非晶質炭素膜中にベンゼン環を含有させ、半導体装置用の配線間の層間絶縁膜とする。ベンゼン環含有含フッ素非晶質炭素膜を、半導体装置の多層配線用の配線間絶縁膜に用いることにより、半導体装置の信号遅延を低減させる。

Claim (excerpt)：

含フッ素非晶質炭素膜中にベンゼン環が含有されていることを特徴とする含フッ素非晶質炭素膜。