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J-GLOBAL ID：200903089639786443

アミド誘導体の製造方法

Inventor： 永井 実 ,  大橋 幸浩 ,  塚原 逸朗 ,  柴田 啓二 ,  川俣 章
Applicant, Patent owner： 花王株式会社
Agent (1)： 有賀 三幸 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992291387
Publication number (International publication number)：1994135914
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 17, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 下記反応式に従ってアミノアルコール(2)に、カルボン酸エステル(3)又はラクトン(4)を塩基性触媒の存在下反応させ、反応終了物を目的化合物であるアミド誘導体(1)又は(1′)のみが固体状態で析出するような温度にて1時間以上保持するアミド誘導体(1)又は(1′)の製造方法を提供する。〔式中、R3は直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の水酸基を有していてもよい炭化水素基を示し、R5は低級炭化水素基を示す。R1は直鎖若しくは分岐鎖の炭化水素基又は水素原子を示し、R2は直鎖又は分岐鎖の二価の炭化水素基を示す。R4は直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の水酸基を有していてもよい二価の炭化水素基を示す。〕【効果】 アミド誘導体(1)又は(1′)を高選択的に、高収率かつ高純度で得られる。

Claim (excerpt)：

次の一般式(2)【化1】〔式中、R1 は直鎖若しくは分岐鎖の炭化水素基又は水素原子を示し、R2 は直鎖又は分岐鎖の二価の炭化水素基を示す〕で表わされるアミノアルコールに、次の一般式(3)【化2】〔式中、R3 は直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の水酸基を有していてもよい炭化水素基を示し、R5 は低級炭化水素基を示す〕で表わされるカルボン酸エステル又は次の一般式(4)【化3】〔式中、R4 は直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の水酸基を有していてもよい二価の炭化水素基を示す〕で表わされるラクトンを塩基性触媒の存在下反応させ、反応終了物を目的化合物であるアミド誘導体(一般式(1)又は(1′))のみが固体状態で析出するような温度にて1時間以上保持することを特徴とする次の一般式(1)【化4】〔式中、R1 、R2 及びR3 は前記と同じ意味を有する〕で表わされるアミド誘導体又は次の一般式(1′)【化5】〔式中、R1 、R2 及びR4 は前記と同じ意味を有する〕で表わされるアミド誘導体の製造方法。

IPC (7)：

C07C233/18 ,  B01J 23/02 ,  B01J 31/12 ,  C07C231/02 ,  C07C233/20 ,  C07C235/08 ,  C07B 61/00 300