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J-GLOBAL ID：200903089661719970

半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法

Inventor： 武藤 彰良 ,  藤井 克正 ,  馬場 智也 ,  ▲萩▼原 秀敏
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001062439
Publication number (International publication number)：2002270504
Application date： Mar. 06, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 臨界膜厚以上のSiGe層を有する半導体基板を提供することを課題とする。【解決手段】 Si基板/SiGe結晶層からなり、SiGe結晶層が、不純物のイオン注入より形成された不純物層を有し、不純物層が、その下部に歪を有するSiGe結晶層と、その上部に歪が緩和されているSiGe結晶層とを有することを特徴とする半導体基板により上記の課題を解決する。

Claim (excerpt)：

Si基板/SiGe結晶層からなり、SiGe結晶層が、不純物のイオン注入より形成された不純物層を有し、不純物層が、その下部に歪を有するSiGe結晶層と、その上部に歪が緩和されているSiGe結晶層とを有することを特徴とする半導体基板。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/32 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/32 ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 H

F-Term (26)：

5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052GC03 ,  5F052JA01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA08 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BA17 ,  5F140BB16 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-270251   Applicant：株式会社東芝
• ヘテロ構造半導体多層薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-288918   Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Enhanced strain relaxation of epitaxial SiGe layers on Si(100) after H+ ion implantation