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J-GLOBAL ID：200903089664625462

基板処理装置

Inventor： 奥田 和幸 ,  森田 慎也 ,  加賀谷 徹 ,  境 正憲 ,  諸橋 明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 油井 透 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001234841
Publication number (International publication number)：2003045864
Application date： Aug. 02, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ガスノズルの形状を改善して、反応管内に供給したガスを効率良く使用できるようにする。【解決手段】 円筒反応管12を垂設して炉口フランジ13の開口をシールキャップ14で密封し、反応管12内に基板としてのウェーハWを多段に載置したボート15を挿入する。円筒反応管12内の複数のウェーハWにノズル21からガスを供給してウェーハWに薄膜を堆積する。ノズル21は、円筒反応管12の管軸方向に管内壁22に沿って這うように設けられる。また、ノズル21は、管内周方向に45°以上180°以下の広がりを持つノズル空間23を内部に持つ。ノズル21のガス噴出口24は各ウェーハWに対応するよう複数設けられ、各ウェーハWの上にガスを流す。

Claim (excerpt)：

円筒状の反応管内の複数の基板にノズルからガスを供給して前記複数の基板を処理する基板処理装置において、前記ノズルは、前記円筒状反応管の管軸方向に管壁に沿って設けられ、かつ管周方向に45°以上180°以下の広がりを持つノズル空間を内部に持っていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455

FI (2)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/455

F-Term (20)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030GA01 ,  4K030KA04 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA00 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045DP19 ,  5F045EF08