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J-GLOBAL ID：200903089671509206

プロセスパラメータの作成方法、プロセスパラメータの作成システム及び半導体装置の製造方法

Inventor： 小谷 敏也 ,  田中 聡 ,  井上 壮一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002109311
Publication number (International publication number)：2003303742
Application date： Apr. 11, 2002
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】 所望のパターンを得ることが可能なプロセスパラメータの作成方法を提供する。【解決手段】 複数のプロセスパラメータを含むパラメータ群を用意する工程と、第1のパターンをパラメータ群に基づいて補正して第2のパターンを求める工程と、パラメータ群及び第2のパターンに基づき、エッチングプロセスによって半導体基板上に形成される第3のパターンを予測する工程と、第3のパターンを第1のパターンと比較して評価値を得る工程と、評価値が予め決められた条件を満たしているか否かを判断する工程と、評価値が予め決められた条件を満たしていないと判断された場合に、パラメータ群に含まれるプロセスパラメータを補正して、第1のパターンを補正する工程に戻る工程と、評価値が予め決められた条件を満たしていると判断された場合に、パラメータ群に含まれるプロセスパラメータを最終的なプロセスパラメータとして決定する工程と、を備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に所望のパターンを形成するためのプロセスパラメータの作成方法であって、複数のプロセスパラメータを含むパラメータ群を用意する工程と、第1のパターンを前記パラメータ群に基づいて補正して第2のパターンを求める工程と、前記パラメータ群及び前記第2のパターンに基づき、エッチングプロセスによって半導体基板上に形成される第3のパターンを予測する工程と、前記第3のパターンを前記第1のパターンと比較して評価値を得る工程と、前記評価値が予め決められた条件を満たしているか否かを判断する工程と、前記評価値が予め決められた条件を満たしていないと判断された場合に、前記パラメータ群に含まれるプロセスパラメータを補正して、前記第1のパターンを補正する工程に戻る工程と、前記評価値が予め決められた条件を満たしていると判断された場合に、前記パラメータ群に含まれるプロセスパラメータを最終的なプロセスパラメータとして決定する工程と、を備えたことを特徴とするプロセスパラメータの作成方法。

IPC (5)：

H01L 21/00 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/027

FI (5)：

H01L 21/00 ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/30 502 G

F-Term (5)：

2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  5F046AA28 ,  5F046DA04 ,  5F046DD03