Pat

J-GLOBAL ID：200903089686378558

成膜方法

Inventor： 中村 裕子 ,  駒野 治樹 ,  狩谷 光代 ,  井上 壮一 ,  杉原 和佳 ,  森 一朗 ,  堀岡 啓治 ,  三好 元介 ,  渡辺 徹 ,  岡野 晴雄 ,  奥村 勝弥 ,  滝川 忠宏 ,  山崎 裕一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001215906
Publication number (International publication number)：2002088478
Application date： Nov. 02, 1993
Publication date： Mar. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】凸状欠陥或いは凹状欠陥のいずれであっても基板表面に合わせて平坦に修正することのできる構造体の欠陥修正プロセスで利用可能な成膜方法を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、Si-O-Si結合及びSi-H結合を有する材料を構造体の表面に供給するとともに前記材料を供給された前記表面の所望の部分に集束イオンビームを照射するFIBアシストデポジションによりシリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

Si-O-Si結合及びSi-H結合を有する材料を構造体の表面に供給するとともに前記材料を供給された前記表面の所望の部分に集束イオンビームを照射するFIBアシストデポジションによりシリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

C23C 16/48 ,  C23C 16/40 ,  G03F 1/08

FI (3)：

C23C 16/48 ,  C23C 16/40 ,  G03F 1/08 T

F-Term (10)：

2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BD38 ,  4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030FA12 ,  4K030LA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-016127
  
• 特開平4-107270