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J-GLOBAL ID：200903089689394228

半導体素子及び半導体素子の製造方法

Inventor： 小野寺 繁樹
Applicant, Patent owner： ミツミ電機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000369509
Publication number (International publication number)：2002176171
Application date： Dec. 05, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】 LDD領域を備える半導体素子の製造工程を短縮する。【解決手段】 シリコン基板上にゲート領域1を形成し、ゲート領域1の周囲のシリコン基板をエッチングして掘り込み部2を形成し、掘り込み部2の垂直に切り立つ側壁に傾斜イオン注入を行い、LDD領域3を形成し、掘り込み部2の底面に垂直イオン注入を行い、ソース/ドレイン領域4を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に形成されたゲート領域と、上記ゲート領域の周囲のシリコン基板をエッチングして形成された掘り込み部と、上記掘り込み部の側壁に形成されたLDD領域と、上記掘り込み部の底面に形成されたソース/ドレイン領域とを備える半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

F-Term (9)：

5F040DA00 ,  5F040EC07 ,  5F040EE04 ,  5F040EF02 ,  5F040EK01 ,  5F040EM01 ,  5F040EM06 ,  5F040FB03 ,  5F040FC13