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J-GLOBAL ID：200903089699658193

半導体レーザ

Inventor： 内田 智士 ,  井川 克彦 ,  股木 宏至
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992169669
Publication number (International publication number)：1994013707
Application date： Jun. 26, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高出力動作までの単一横モードが可能な屈折率導波型構造でありながら低出力動作(たとえば光出力3mW)においてマルチ縦モード発振である自己整合型のMQW構造の高出力半導体レーザを提供する。【構成】 複屈折率導波機構を有するAlGaAs系自己整合型のMQW構造半導体レーザであって、電流制限層6の膜厚が6000〜2000Åである。

Claim (excerpt)：

複素屈折率導波機構を有するAlGaAs系自己整合型のMQW構造半導体レーザであって、電流制限層の膜厚が6000〜2000Åであることを特徴とする半導体レーザ。