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J-GLOBAL ID：200903089701740390
量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992172009
Publication number (International publication number)：1993343813
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】瞬時光学損傷による端面破壊を防止し、より高出力で、かつ動作特性が安定し、高効率で高信頼性を目的とする。【構成】量子井戸型活性層を、共振器の端面側でのストライプ幅と厚みに対して、内部に向けて徐々にストライプ幅を狭くし、かつ活性層の厚みを厚くしてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
Claim (excerpt)：
単一または多重の量子井戸構造の活性層を備え、第1の端面と第2の端面を備えた半導体レーザ装置において、第1の端面および第2の端面の少なくとも一方に対応する端面側の活性層のエネルギバンドギャップ値が、中央部の活性層のエネルギバンドギャップ値よりも、大きくしてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
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