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J-GLOBAL ID：200903089709046060

強誘電性液晶の誘電率測定方法および測定装置

Inventor： 伊藤 信行
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993209379
Publication number (International publication number)：1995035797
Application date： Aug. 24, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 強誘電性液晶の主軸誘電率ε1,ε2,ε3を正確に測定する。【構成】 測定対象の強誘電性液晶からなるスメクチック層が基板に対して平行をなす垂直配向セルと、上記強誘電性液晶からなるスメクチック層が基板に対して「く」の字状に折れ曲がって傾斜したシェブロン層構造を持つ水平配向セルとを用意する。垂直配向セルに液晶分子の配向が変化しないレベルの高周波プローブ電圧を印加して誘電率εhを測定する。上記水平配向セルに上記プローブ電圧を印加して誘電率εpを測定する。上記水平配向セルに直流または低周波のバイアス電圧を印加して上記スメクチック層内の液晶分子の自発分極を一定方向に揃えた状態で、上記プローブ電圧を印加して誘電率εpDCを測定する。上記3つの誘電率εh,εp,εpDCに基づいて、所定の関係式により、上記主軸誘電率ε1,ε2,ε3を求める。

Claim (excerpt)：

互いに対向し対向面に電極を有する一対の基板の隙間に強誘電性液晶を封止した状態で、上記電極に液晶分子の配向が変化しないレベルの高周波のプローブ電圧を印加して誘電率を測定し、この誘電率に基づいて上記強誘電性液晶の液晶分子の長軸方向の主軸誘電率ε3、上記液晶分子の自発分極の方向の主軸誘電率ε2、および、上記長軸方向と自発分極の方向とに直交する方向の主軸誘電率ε1を求める強誘電性液晶の誘電率測定方法であって、上記強誘電性液晶からなるスメクチック層が上記基板に対して平行をなす垂直配向セルと、上記強誘電性液晶からなるスメクチック層が上記基板に対して「く」の字状に折れ曲がって傾斜したシェブロン層構造を持つ水平配向セルとを用意して、上記垂直配向セルの上記電極に上記プローブ電圧を印加して、上記強誘電性液晶の誘電率εhを測定し、上記水平配向セルの上記電極に上記プローブ電圧を印加して、上記強誘電性液晶の誘電率εpを測定し、上記水平配向セルの上記電極に直流または低周波のバイアス電圧を印加して上記スメクチック層内の液晶分子の自発分極を一定方向に揃えた状態で、上記プローブ電圧を印加して、上記強誘電性液晶の誘電率εpDCを測定し、上記3つの誘電率εh,εp,εpDCに基づいて、所定の関係式により、上記主軸誘電率ε1,ε2,ε3を求めることを特徴とする強誘電性液晶の誘電率測定方法。

IPC (2)：

G01R 27/26 ,  G01R 27/00