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J-GLOBAL ID：200903089711430209
磁性多層膜
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993241281
Publication number (International publication number)：1995078716
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 磁気抵抗変化率が低下することなく、磁界感度が向上した磁性多層膜を提供する。【構成】 基板1上に強磁性金属層6と導電性を有するCu層7とを交互に積層し、その界面の電子スピンの選択的な散乱現象により前記強磁性金属層6間に反強磁性的相互作用が生じる人工格子型の磁性多層膜において、前記強磁性金属層6を上記Cu層内の伝導電子スピンの状態に選択的に影響を与え易い材料よりなるCo膜3、5と、該Co膜3、5よりも軟磁性の優れたNiFe膜4とにより構成し、前記Co膜3、5を上記非磁性金属層6と接する側に形成したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に強磁性金属層と導電性を有する非磁性金属層とを交互に積層し、その界面の散乱現象により前記強磁性金属層間に反強磁性的相互作用が生じる人工格子型の磁性多層膜において、前記強磁性金属層を、上記非磁性金属層を構成する材料の伝導電子スピンに対して選択的に影響を与え易い材料よりなる第1の磁性膜と、該第1の磁性膜よりも軟磁性の優れた第2の磁性膜とにより構成し、前記第1の磁性膜を上記非磁性金属層と接する側に形成したことを特徴とする磁性多層膜。
IPC (3)：
H01F 10/08
, G11B 5/39
, H01L 43/02
