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J-GLOBAL ID：200903089732996563

ナノスケールのモット転移分子電界効果トランジスタ

Inventor： アルヌバ・グプタ ,  ジェームス・アンソニー・ミゼウィッチ ,  デニス・メルトン・ニューンズ ,  ブルース・アルバート・スコット ,  チャン・チ・ツェイ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998257801
Publication number (International publication number)：1999163365
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 個別設計双安定分子の単層または多層膜内のモット金属-絶縁体間転移ナノスケール・スイッチ。【解決手段】 電界効果トランジスタ3端子素子にモット転移を利用する。モット転移が金属-絶縁体間スイッチングを決定し、外部ゲート電極により制御される。素子は従来のFETより約1桁小さな寸法で、小寸法に構成される。素子は自己アセンブリ技術を用いて製作され、多層構造の主要工程を可能にし、極めて小さな設計規則を要求することなく、1チップ当たり多数のトランジスタがアセンブルされ、素子の低電圧及び低電力要求を容易にする。

Claim (excerpt)：

ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極間の伝導チャネルを有するゲート電極とを含み、前記伝導チャネルが分子の少なくとも1つの層の2次元配列を含み、前記伝導チャネルが絶縁スペーサ層により前記ゲート電極から分離され、前記分子がモット金属-絶縁体間転移を担える、電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 23/48 ,  H01L 51/00 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 23/48 N ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 617 N