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J-GLOBAL ID：200903089740621340

プラズマCVD装置

Inventor： 村田 正義 ,  竹内 良昭
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992152337
Publication number (International publication number)：1993343338
Application date： Jun. 11, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】パウダーおよびフレークの発生を抑制でき、大面積の基板上に均一に膜質の良好な薄膜を形成できる高周波プラズマCVD装置を提供する。【構成】反応容器7内にアノード電極4に対向して複数個のカソード電極3a〜3fを平面的に設置し、各カソード電極3a〜3fの側面および裏面をアースシールド5で囲い、複数個のカソード電極3a〜3fの裏面側に反応ガス供給管6a〜6cの噴出口8a〜8cを複数個設置し、かつ複数個の噴出口8a〜8cの間に交互に複数個の排気口10a〜10dを配置した構成を有する。

Claim (excerpt)：

反応容器内に、カソード電極と、前記カソード電極の側面および裏面を囲うアースシールドと、前記カソード電極に対向して設けられ基板が設置されるヒーター内蔵アノード電極とを有するとともに、反応ガス供給管および反応ガス排気管とを有し、高周波電源からインピーダンス整合器を介して前記カソード電極に高周波電力を供給することにより前記反応容器内でプラズマを発生させるプラズマCVD装置において、前記アノード電極に対向して、複数個のカソード電極を平面的に設置し、各カソード電極の側面および裏面をアースシールドで囲い、前記複数個のカソード電極の裏面側に反応ガス供給管の噴出口を複数個設置し、かつ前記複数個の噴出口の間に交互に複数個の排気口を配置したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31