磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995251334
Publication number (International publication number)：1997097715
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】小型化対応の磁気素子においては、磁性層の高飽和磁化、軟磁性、面内一軸磁気異方性制御性を保持しつつ、磁歪定数が小さく、磁気素子作製プロセスに磁気特性が影響されにくい磁性薄膜が切望されている。【解決手段】 FeとCoよりなる遷移金属と、Bと、C、Si、Snなどの4B族元素の少なくともいずれかと、Smを含む希土類元素と、不可避の不純物でなり以下の組成式を満たす磁性体で構成され、かつ構成領域の全部またはー部が非晶質領域である磁性薄膜である。組成式 (Fe<SB>1-X </SB>Co<SB>X </SB>)<SB>1-Y </SB>(B<SB>1-Z </SB>4B<SB>Z </SB>)<SB>Y </SB>REaここで4Bは4B族元素,REはSmを含む希土類元素を表す。また,x,y,z,aは0<x<1,0<z<1,0.05<y<0.360<a<0.1

Claim (excerpt)：

FeとCoよりなる遷移金属と、Bと、C、Si、Snなどの4B族元素の少なくともいずれかと、Smを含む希土類元素と、不可避の不純物でなり以下の組成式を満たす磁性体で構成され、かつ構成領域の全部またはー部が非晶質領域であることを特徴とする磁性薄膜。組成式 (Fe<SB>1-X </SB>Co<SB>X </SB>)<SB>1-Y </SB>(B<SB>1-Z </SB>4B<SB>Z </SB>)<SB>Y </SB>REaここで4Bは4B族元素,REはSmを含む希土類元素を表す。また,x,y,z,aは0<x<1,0<z<1,0.05<y<0.360<a<0.1

IPC (2)：

H01F 10/16 , H01F 17/00

FI (2)：

H01F 10/16 , H01F 17/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭57-051237
特開昭51-073920
特開平1-168844

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