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J-GLOBAL ID：200903089751719910

発光ダイオード

Inventor： チーピン・クオ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996019586
Publication number (International publication number)：1996264833
Application date： Feb. 06, 1996
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【課題】高効率発光窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム化合物半導体デバイス。【解決手段】サファイア基板14上に窒化インジウム・ガリウム化合物から構成され、第1の格子定数と第1のインジウム含有量とを有するバッファ層12を形成し、さらにその上に窒化ガリウム・インジウム・アルミニウム化合物から構成され、第2の格子定数と第2のインジウム含有量とを有する上部層を形成する。第1の格子定数と第2の格子定数の差は0.5%以内であり、発光ダイオードに用いられる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板と、窒化インジウム・ガリウム化合物から構成され、第1の格子定数と第1のインジウム含有量とを有する、前記サファイア基板上に形成されたバッファ層と、窒化ガリウム・インジウム・アルミニウム化合物から構成され、第2の格子定数と第2のインジウム含有量とを有する、前記バッファ層上の上部層とを有し、第1の格子定数と第2の格子定数の差が0.5%以内であることを特徴とする、発光ダイオード。