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J-GLOBAL ID：200903089755384816
磁気抵抗効果素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242468
Publication number (International publication number)：1994097531
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【構成】 絶縁性の基板上に第1の磁性体層が形成され、その上にN型の第1の半導体層が形成されている。またこの第1の半導体層上の所定の領域にはP型の第2の半導体層及び第2の磁性体層がこの順序で積層形成されている。さらにこの第2の半導体層が形成されている領域に近接した領域にP型の第4の半導体層が形成されている。さてこのような構造で、第1の半導体層をベース(B)とし、第2の半導体層をエミッタ(E)とし、第4の半導体層をコレクタ(C)とし、第1の磁性体層ベース電極とし、第2の磁性体層をエミッタ電極とする。この構成でB-E間にバイアス電流を流した状態で外部磁界を変化させると、B-C間の電流が磁界に応じて変化する。【効果】 高感度、高出力の新規な磁気抵抗効果素子を得ることができる。
Claim (excerpt)：
第1の磁性体層と、第2の磁性体層とが、P型若しくはN型の半導体層を介して接合された構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4)：
H01L 43/08
, G01R 33/06
, G11B 5/39
, H01F 1/00
