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J-GLOBAL ID：200903089784795132
太陽電池およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 恒久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996223477
Publication number (International publication number)：1998070293
Application date： Aug. 26, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体層において、入射側面とその反対側面の凹凸のピッチおよび高低差を異ならしめ、入射光および反射光を散乱させて光の光路長を増加させることにより光電変換効率を向上させる。【解決手段】 透光性絶縁基板1に透明導電膜2を積層する。光の入射方向に対する透明導電膜2の反対側面2aに入射光を散乱させるため凹凸を形成する。透明導電膜2に順次p層4、i層5、n層6を積層して非晶質半導体層3とする。n層6の反対側面6bに、その入射側面6aの凹凸のピッチおよび高低差が異なる凹凸を形成する。n層6に透明導電膜7、金属薄膜裏面電極8を順次積層する。
Claim (excerpt)：
透明導電層、半導体層、電極層が順次積層され、前記透明導電層側から入射されて前記半導体層に入った入射光および前記半導体層を通過して前記電極層で反射された反射光を前記半導体層で光電変換する太陽電池において、前記半導体層の入射側面およびその反対側面に光を散乱させるための凹凸がそれぞれ形成され、一方の凹凸と他方の凹凸とではそのピッチおよび高低差が異ならしめられたことを特徴とする太陽電池。
Patent cited by the Patent：
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