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J-GLOBAL ID：200903089786681673

強誘電体単結晶薄膜およびその製法

Inventor： 飯島 喜彦 ,  氏家 孝二 ,  森 孝二
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 友松 英爾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221122
Publication number (International publication number)：1993043398
Application date： Aug. 06, 1991
Publication date： Feb. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、レーザアブレーション技術を用いることにより、LiTayNbpO3(式中、yは0≦y≦1,p=1-yを表わす)で表わされる強誘電体単結晶体で構成され、かつ膜全体が均一、かつ単結晶で構成される高品質な強誘電体単結晶薄膜の提供を目的とする。【構成】 本発明は、LiTaxNbwO3(式中、xは0≦x≦1,w=1-xを表わす)基板上に、ターゲットとして、LiTayNbpO3(y,pは前記に同じ)あるいはLi2O,Nb2O5およびTa2O5を用い、レーザアブレーションにより基板上にLiTayNbpO3(y,pは前記に同じ)で表わされる単結晶薄膜を形成することよりなる。

Claim (excerpt)：

LiTaxNbwO3(式中、xは0≦x≦1,w=1-xを表わす)基板上に、レーザアブレーション法によって形成したLiTayNbpO3(式中、0≦y≦1,p=1-yを表わす)で表わされる単結晶あるいはこれに金属元素をドープしたもので構成される薄膜を設けてなる基板付き強誘電体単結晶薄膜。