半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992140399
Publication number (International publication number)：1993218405
Application date： Jun. 01, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 MOS初特性及びホットキャリア信頼性を向上することを目的とする。【構成】ゲート絶縁膜4は窒素原子濃度が1atom・%以下のシリコン酸化膜である。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記半導体基板の前記ゲート電極の両側に前記半導体基板とは逆導電型のソース/ドレイン領域を形成した半導体装置において、前記ゲート絶縁膜は窒素原子濃度が1atom・%以下のシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (19)

特開平3-129774
特開平1-235382
特開昭61-172339

Show all

Return to Previous Page