Pat
J-GLOBAL ID：200903089791540565
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992140399
Publication number (International publication number)：1993218405
Application date： Jun. 01, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 MOS初特性及びホットキャリア信頼性を向上することを目的とする。【構成】 ゲート絶縁膜4は窒素原子濃度が1atom・%以下のシリコン酸化膜である。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記半導体基板の前記ゲート電極の両側に前記半導体基板とは逆導電型のソース/ドレイン領域を形成した半導体装置において、前記ゲート絶縁膜は窒素原子濃度が1atom・%以下のシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
