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J-GLOBAL ID：200903089793032451

半導体発光素子

Inventor： 奥山 浩之 ,  秋本 克洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992032253
Publication number (International publication number)：1993075217
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基体上にII-VI族化合物半導体による短波長半導体発光素子を構成する。【構成】 基体1上に、ZnMgSSe系のクラッド層2及び4によって挟み込まれたダブルヘテロ接合型のII-VI族化合物半導体発光素子を構成する。

Claim (excerpt)：

基体上に、少なくとも第1導電型の第1のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第2のクラッド層とがエピタキシャル成長されて成り、上記第1及び第2のクラッド層が、ZnMgSSe系、またはZnMgSe系、或いはZnMgS系化合物半導体より成ることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭63-213376
  
• 特開昭63-213376
  

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-213376
  
• 特開昭63-213376
  
• 特開昭63-213376
  
• 特開平1-157576