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J-GLOBAL ID：200903089797538791

半導体基板の製造方法

Inventor： 後藤 広志
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991170283
Publication number (International publication number)：1993021764
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 極薄SOI層を有するSOI基板の製造方法に関し、均一な膜厚を有する極薄SOI層が安定して得られるSOI基板を高歩留りで製造することを目的とする。【構成】 シリコンと化合して絶縁物を形成する物質を、シリコン基板1内の一部領域に、主面側から所定の深さd1 にイオン注入し(104 イオン注入領域)、該シリコン基板1の主面に、前記イオン注入領域104 の底面より浅い深さd2 に底面を有する熱酸化膜5を形成すると同時に、前記イオン注入領域104 に埋込み絶縁物層4を形成する工程、該シリコン基板1を前記熱酸化膜5を介し支持基板6上に加熱貼着する工程、該シリコン基板1を背面側から前記埋込み絶縁物層4をストッパとして研摩し、支持基板6上に前記熱酸化膜5を介し該半導体基板1の薄層からなる薄いSOI層1Sが貼着されてなるSOI基板を形成する工程を有するように構成する。

Claim (excerpt)：

シリコンと化合して絶縁物を形成する物質を、シリコン基板内の一部領域に、主面側から所定の深さにイオン注入する工程、該シリコン基板の主面に、前記イオン注入領域の底面より浅い底面を有する熱酸化膜を形成すると同時に、前記イオン注入領域に埋込み絶縁物層を形成する工程、該シリコン基板を前記熱酸化膜を介し支持基板上に加熱貼着する工程、該シリコン基板を背面側から前記埋込み絶縁物層をストッパとして研摩し、支持基板上に前記熱酸化膜を介し該シリコン基板の薄層が貼着されてなるSOI基板を形成する工程を有する半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02