Pat

J-GLOBAL ID：200903089798709700

疎水性微細シリカおよびその製造方法

Inventor： 中村 正博 ,  延本 一寿 ,  永野 尊凡 ,  美谷 芳雄
Applicant, Patent owner： 株式会社トクヤマ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993152382
Publication number (International publication number)：1995010524
Application date： Jun. 23, 1993
Publication date： Jan. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】表面に十分な量の疎水基を有し、しかもOH基の量は少なく、高い疎水性の微細シリカを得る。【構成】単位表面積当たりの表面のOH基の数が0.3個/nm2以下であり、且つ修飾疎水度が60%以上である疎水性微細シリカ。単位表面積当たりの表面OH基の数が1.5個/nm2以下である微細シリカを水蒸気の存在下にヘキサメチルジシラザンと接触させることにより製造する。

Claim (excerpt)：

単位表面積当たりの表面のOH基の数が0.3個/nm2以下であり、且つ修飾疎水度が60%以上であることを特徴とする疎水性微細シリカ。

IPC (2)：

C01B 33/18 ,  C09C 1/28 PAQ