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J-GLOBAL ID：200903089800816072

半導体レーザ装置

Inventor： 平本 清久 ,  辻 伸二 ,  佐川 みすず
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電線株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992070597
Publication number (International publication number)：1993275799
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 希土類添加光ファイバ増幅器励起用半導体レーザにおいて、高出力長寿命で発振波長の温度や駆動電流による変化が少なく、希土類添加光ファイバ増幅器の励起帯に波長がよく整合し、またレーザの放射角が小さく、光ファイバとの結合効率の高い半導体レーザを実現すること。【構成】 GaAs基板上に積層されたInGaAs及びGaAsから成る歪量子井戸構造を持つ活性層と、その上層及び下層の少なくとも1層に積層されたInGaAsPガイド層、及びInGaAsP又はInGaPクラッド層、及び活性層とGaAs基板に挾まれたクラッド層上に形成された回折格子により構成される。【効果】 本発明により、高出力長寿命で発振波長の温度変化が極めて小さく、希土類添加光ファイバ増幅器の励起帯への発振波長の整合性がよく、光ファイバとの結合効率の高い半導体レーザを得ることができる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に形成されたGaAs及びInGaAsから成る超格子構造を有する活性層と、上記活性層の上層及び下層の少なくとも一方に設けられたIn<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>As<SB>y</SB>P<SB>1-y</SB>クラッド層(但し0≦y<1)とから成る半導体レーザ装置において、上記活性層とクラッド層との間にIn<SB>1-u</SB>Ga<SB>u</SB>As<SB>v</SB>P<SB>1-v</SB>(但しu>x、v>y)から成るガイド層を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特公昭57-003906
  
• 特開昭61-082436