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J-GLOBAL ID：200903089814210355

集積半導体装置

Inventor： 小伏 和宏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992162479
Publication number (International publication number)：1994005591
Application date： Jun. 22, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 正しく信号を伝達することができ、正しく高速動作をすることのできる集積半導体装置を提供する。【構成】 1はスイッチング動作を行うトランジスタの電極部であり、2はトランジスタの出力信号を伝達する金属薄膜配線である。3は金属薄膜配線2の方向転換部であり、金属薄膜配線2の幅以上の回転半径を持つ円弧によって構成されている。このようなパターンの繰り返しによって集合半導体装置が構成される。金属薄膜配線の方向転換部が円弧であるために、配線の固有インピーダンスの変化が緩やかであり、方向転換部からの反射波の発生が少ない。そのために、伝達信号が源波形からほとんど変形せずに正確な信号伝達が行える。【効果】 方向転換部での反射波の発生を抑制し、正確な信号の伝達をすることができ、正しく高速動作をする集積半導体装置を提供できる。

Claim (excerpt)：

導体配線パターンを有し、前記導体配線パターンの基板面射影が前記導体配線パターンの線幅以上の回転半径を有する方向転換部を有し、前記導体配線パターンに信号電流を通じることを特徴とする集積半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/82

FI (2)：

H01L 21/88 A ,  H01L 21/82 W