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J-GLOBAL ID：200903089820227634

Biアルコキシドを使用して強誘電性皮膜を形成するための低温度CVD法

Inventor： フランク エス ヒンターマイアー ,  ピーター シー ヴァン ブスキルク ,  ジェフリー エフ ローダー ,  ブライアン シー ヘンドリックス ,  トーマス エイチ バウム ,  デブラ エー デスロチャーズ
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト ,  アドヴァンスト テクノロジー マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000586979
Publication number (International publication number)：2003512715
Application date： Dec. 06, 1999
Publication date： Apr. 02, 2003
Summary：

【要約】化学蒸着を使用してBi酸化物、Sr酸化物及びTa酸化物の皮膜を、加熱した基板上にこれらの酸化物の前駆物質を基板表面で分解することによって形成させる。Bi酸化物の前駆物質は少なくとも1つのアルコキシド基を有し、かつ450°C未満の温度で分解かつ堆積するBi錯体である。低温CVDによって得られるBi酸化物、Sr酸化物及びTa酸化物の皮膜は主として非強誘電性が、引き続きの加熱プロセスによって強誘電性皮膜に変換可能である。

Claim (excerpt)：

基板上にBi酸化物からなる皮膜を形成する方法において、該方法が、Bi酸化物の前駆物質を溶液中で溶解し、この際前記Bi酸化物の前駆物質は少なくとも1つのアルコキシド基を有する;前記Bi酸化物の前駆物質を分解して450°C未満の温度でBi酸化物を形成する;及び前記Bi酸化物を前記基板に450°C未満の温度で堆積させることよりなる基板上にBi酸化物からなる皮膜を形成する方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40

F-Term (29)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA04 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA08 ,  4K030FA10 ,  4K030FA12 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BH01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-296313   Applicant：株式会社高純度化学研究所
• Bi層状構造強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-119350   Applicant：松下電子工業株式会社, 株式会社高純度化学研究所, シンメトリックス・コーポレーション
• 半導体メモリ及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-205799   Applicant：ソニー株式会社
• Biアミドを用いる強誘電体薄膜を製造するための低温CVD処理法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平11-531694   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, アドヴァンストテクノロジーマテリアルズインコーポレイテッド