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J-GLOBAL ID：200903089822031559

光半導体集積素子及びその製造方法

Inventor： 江川 満
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001005954
Publication number (International publication number)：2002217446
Application date： Jan. 15, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】 光半導体集積素子及びその製造方法に関し、バットジョイント成長工程における積層欠陥の発生を防止する。【解決手段】 {100}面を主面とする半導体基板5上に設けた第1の機能を有する半導体多層構造1に対して第2の機能を有する半導体多層構造2をバットジョイント結合させた光半導体集積素子の第1の機能を有する半導体多層構造1の結合部側のメサ構造の側面4の主要部を、{100}面に対するなす角が{111}面のなす角より小さな緩斜面で構成する。

Claim (excerpt)：

{100}面を主面とする半導体基板上に設けた第1の機能を有する半導体多層構造に対して第2の機能を有する半導体多層構造をバットジョイント結合させた光半導体集積素子において、前記第1の機能を有する半導体多層構造の結合部側のメサ構造の側面の主要部が、{100}面に対するなす角が{111}面のなす角より小さな緩斜面で構成されることを特徴とする光半導体集積素子。

IPC (4)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15

FI (4)：

H01L 27/15 C ,  H01L 31/10 A ,  H01L 21/306 B ,  H01L 27/14 Z

F-Term (20)：

4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA06 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118EA01 ,  4M118GA09 ,  5F043AA15 ,  5F043BB08 ,  5F043FF04 ,  5F043GG10 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049QA08 ,  5F049QA18 ,  5F049SS04 ,  5F049SS09 ,  5F049TA11