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J-GLOBAL ID：200903089823528899

相変化記憶素子及びその形成方法

Inventor： 姜 明▲ジン▼ ,  河 龍湖 ,  朴 斗煥 ,  朴 正熙 ,  申 喜珠
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008198205
Publication number (International publication number)：2009038379
Application date： Jul. 31, 2008
Publication date： Feb. 19, 2009
Summary：

【課題】本発明は、相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。【解決手段】この方法は、第1膜内に開口部を形成すること、第1膜上及び開口部内に相変化物質を形成すること、相変化物質が開口部内にリフローされる第1温度で相変化物質を加熱すること、及び相変化物質を加熱した後に相変化物質をパターニングして、第1開口部内に相変化要素を定義することを含む。第1温度は、相変化物質の溶融温度より低い。リフローする間に第1膜は、相変化物質を濡らし、相変化物質は、第1膜上に直接形成される。【選択図】図2F

Claim (excerpt)：

第1膜内に開口部を形成すること、 前記第1膜上及び前記開口部内に相変化物質を形成すること、 前記相変化物質が開口部内にリフローするための第1温度に前記相変化物質を加熱し、前記第1温度は、前記相変化物質の溶融温度より低いこと、 前記相変化物質を前記第1温度に加熱した後に、前記相変化物質をパターニングして、前記開口部内に相変化要素を定義することを含む相変化記憶素子の形成方法。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

F-Term (17)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA13 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA19