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J-GLOBAL ID：200903089825554650

スパッタリングターゲット、透明導電膜およびそれらの製造法

Inventor： 井上 一吉 ,  松崎 滋夫
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2002006888
Publication number (International publication number)：WO2003014409
Application date： Jul. 08, 2002
Publication date： Feb. 20, 2003
Summary：

酸化インジウムと酸化スズからなるスパッタリングターゲットであって、スズ原子の含有率がインジウム原子とスズ原子の合計に対して3〜20原子%であり、かつ、スパッタリングターゲット中の結晶の最大粒径が5μm以下であるスパッタリングターゲット。このスパッタリングターゲットは、スパッタリング法による透明導電膜の成膜時にターゲット表面に発生するノジュールの生成を抑止して、安定性よくスパッタリングを行うことができる。

Claim (excerpt)：

酸化インジウムと酸化スズからなるスパッタリングターゲットであって、スズ原子の含有率がインジウム原子とスズ原子の合計に対して3〜20原子%であり、かつ、スパッタリングターゲット中の酸化イジウム結晶の最大粒径が5μm以下であるスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C14/34 ,  C04B35/495 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

FI (4)：

C23C14/34 A ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  C04B35/00 J