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J-GLOBAL ID：200903089831121218

半導体素子の製造方法

Inventor： 北 明夫
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052180
Publication number (International publication number)：1994267974
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】 シリコン半導体基板1上にMOSトランジスタ-のゲ-ト電極3をパタ-ニング形成した後に、非晶質化のためのイオン注入をこのゲ-ト電極3をマスクとして、シリコン半導体基板1の主表面垂直方向に対して角度をもたせて行い、ゲ-ト電極3のエッジ部3aの下部領域にも十分な非晶質領域4が形成された後に不純物をイオン注入し、ソ-ス・ドレイン拡散層5を形成する。【効果】 ゲ-ト電極3のエッジ部3aの下部領域にも十分な非晶質領域4が形成されるので、チャネリングを効果的に防止しでき、ソ-ス・ドレイン拡散層の浅い接合形成が可能となるので、高性能な微細トランジスタを形成することができる。

Claim (excerpt)：

a)半導体結晶基板上にマスク材料を形成し、マスクパタ-ンを形成する工程と、b)前記マスクパタ-ンをマスクとして前記半導体結晶基板中に前記半導体結晶基板と同一な元素或いは不活性な元素を、前記半導体基板の主表面側の垂直方向に対して斜めの方向からイオン注入し、前記半導体結晶基板の主表面側に非晶質化した領域を形成する工程と、c)前記マスクパタ-ンをマスクとして前記半導体結晶基板の主表面側に形成された非晶質化した領域中に不純物を、前記半導体基板の主表面の垂直方向からイオン注入し、前記非晶質化した領域中に拡散層を形成する工程と、d)前記半導体結晶基板をアニ-ル処理し、前記非晶質化した領域を再結晶化する工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 A