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J-GLOBAL ID：200903089843575192

磁気素子

Inventor： 奥野 志保 ,  猪俣 浩一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996060610
Publication number (International publication number)：1997252152
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 外部磁場を用いずに磁性体の磁化状態を読みだせる磁気素子を提供する。【解決手段】 強磁性導電膜と直接遷移型半導体を磁気的カップリングのない積層体とする。円偏光発生源から直接遷移型半導体に円偏光を照射することで、直接遷移型半導体中に円偏光の偏光方向に基づく極性を持つスピン偏極電子を励起せしめ、このスピン偏極電子が積層体を流れるとその抵抗変化により強磁性導電膜の磁化の向きを検出する。

Claim (excerpt)：

直接遷移型半導体層と強磁性導電層とが実質的に磁気的結合のない状態で積層された積層膜と;この積層膜に電流を流す一対の電極と;を具備し、前記直接遷移型半導体層に円偏光を照射することで励起されたスピン偏極電子のスピンの向きと、前記強磁性導電層中の磁化の向きとのなす角度により前記電極間の電気抵抗の変化を検出することを特徴とする磁気素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/14

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  H01F 10/14 ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-036145   Applicant：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果素子及びメモリー素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-294409   Applicant：松下電器産業株式会社