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J-GLOBAL ID：200903089847683488

シリコン微結晶発光媒質及びそれを用いた素子

Inventor： 松本 貴裕 ,  二木 登史郎 ,  三村 秀典 ,  玉木 輝幸
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 半田 昌男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993120878
Publication number (International publication number)：1994310816
Application date： Apr. 23, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 間接遷移型シリコン半導体を1〜20nmのサイズに微結晶化しその表面にシリコンクラスターを結合させることによって高効率な発光を引き起こさせることを目的とする。【構成】 シリコン微結晶発光媒質を光または電気的な手法を用いて励起することによってキャリアの生成が微結晶内で起こるようになる。生成されたキャリアはこの微結晶表面に付着した発光媒体であるシリコンクラスターに効率よくトランスファーされる。この結果、表面のシリコンクラスター準位には反転分布状態が形成され、レーザー発振が引き起こされるようになる。

Claim (excerpt)：

直径が1〜20nmのシリコン微結晶表面にシリコン原子の個数が、1〜100個からなるシリコンクラスターを結合させたシリコン微結晶媒質。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00