Pat
J-GLOBAL ID：200903089850798431
フォトマスクおよび半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997272961
Publication number (International publication number)：1999109603
Application date： Oct. 06, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ピッチの大きな矩形パターンに対しても、焦点深度が向上するフォトマスクとそれを用いた半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 透明基板11の主表面上の第1の方向において、第1の開口部を隔て、露光装置における露光光の波長をλ、開口数をNA、コヒーレンス度をσとしたとき、P1>2λ/NA(1+σ)なる関係を満たす第1のピッチP1で配設されるとともに、第1のピッチよりも小さい第2のピッチで第1の方向に配設された第2の開口部12が設けられた遮光部14とを備えたものである。また、このフォトマスクを半導体装置の製造工程であるフォトリソグラフィー工程に適用したものである。
Claim (excerpt)：
透明基板と、前記透明基板の主表面上の第1の方向において、第1の開口部を隔て、露光装置における露光光の波長をλ、開口数をNA、コヒーレンス度をσとしたとき、P1>2λ/NA(1+σ)なる関係を満たす第1のピッチP1で配設されるとともに、前記第1のピッチよりも小さい第2のピッチで前記第1の方向に配設され、透過する露光光の強度が前記第1の開口部を透過する露光光の強度よりも小さい第2の開口部が設けられた遮光部とを備えたフォトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F 1/08 D
, H01L 21/30 502 P
