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J-GLOBAL ID：200903089854350770

基板処埋装置

Inventor： 紺谷 忠司 ,  豊田 一行
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (3)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002293895
Publication number (International publication number)：2004124234
Application date： Oct. 07, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】電極の挿入を簡単に行えると共に、電極自体の変形・変質によるプラズマの生成に影響が小さい基板処理装置を提供する。【解決手段】電極保護管10は、電極11が容易に挿入可能な内径の石英管により形成される。電極保護管10の下部は閉塞されていると共に、上部は開口され、この開口部近傍の外壁が反応管1の開放端と逆側の上壁に密閉固定されて、電極11の差し込み口14が上部に開口配置された構造になっている。この差し込み口14から電極11が反応室1の壁部を貫通して第1バッファ室6に重力方向に沿って上方から下方へと挿入されるように構成する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

複数の基板を多段に重ねて反応管の開放端から反応室に挿入し、減圧状態でプラズマにより活性化した処理ガスを反応室に供給して前記複数の基板を一括して処理する基板処理装置において、 前記反応管の側部にプラズマ生成室を設け、 前記プラズマ生成室に、プラズマ生成用の電極を前記反応管の開放端と逆側から重力方向に沿って挿入したことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2)：

C23C16/509 ,  H01L21/205

FI (2)：

C23C16/509 ,  H01L21/205

F-Term (23)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030GA05 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045DP19 ,  5F045EB02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF07 ,  5F045EH04 ,  5F045EH18