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J-GLOBAL ID：200903089858197097

ドープダイヤモンド状カーボン皮膜

Inventor： オイフィンガー,シュテファン ,  セルク,マルク ,  ネーリンク,ドミニク
Applicant, Patent owner： ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム
Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001501671
Publication number (International publication number)：2003501555
Application date： May. 16, 2000
Publication date： Jan. 14, 2003
Summary：

【要約】本発明はシリコン-窒素がドープされたダイヤモンド状カーボン皮膜に関する。この種の皮膜は、低表面エネルギー、高硬度、および基板に対する良好な密着性によって特徴づけられる。このような層は、ダイヤモンド状カーボン組成皮膜に対して良好な密着性促進層として機能する。ド-プダイヤモンド状カーボン層とダイヤモンド状カーボン組成層の堆積を交互に繰り返すことによって、基板に対する良好な密着性および低内部応力を有する厚い皮膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

シリコン-窒素がドープされたダイヤモンド状カーボン皮膜(12)において、前記皮膜の組成は、前記皮膜を構成するH以外の全元素の合計に対する比率で表される濃度で、30から90原子%のカーボン、5から50原子%のシリコン、および5から40原子%の窒素からなり、引っ掻きテストによって測定され、臨界荷重によって表される前記皮膜の密着性は22Nよりも大きい、ことを特徴とする皮膜。

IPC (4)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 28/04 ,  C23C 30/00

FI (4)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 28/04 ,  C23C 30/00 C

F-Term (31)：

4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CC02 ,  4G046CC06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA24 ,  4K030BA28 ,  4K030BB12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA18 ,  4K030KA20 ,  4K030LA21 ,  4K044AA01 ,  4K044AA11 ,  4K044AB10 ,  4K044BA18 ,  4K044BB01 ,  4K044BB02 ,  4K044BB03 ,  4K044BB04 ,  4K044BB05 ,  4K044BB06 ,  4K044BB17 ,  4K044BC01 ,  4K044BC05 ,  4K044BC06 ,  4K044CA07 ,  4K044CA14 ,  4K044CA57