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J-GLOBAL ID：200903089860865897

半導体装置,半導体装置の製造方法,薄膜トランジスタ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置

Inventor：
大今 進

About 大今 進


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995126136
Publication number (International publication number)：1996195495
Application date： May. 25, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：
【要約】【目的】オン電流が大きくオフ電流が小さな多結晶シリコンTFTを提供する。【構成】透明絶縁基板1上にはRTA装置のランプ光またはレーザアニール装置のレーザ光を遮る遮光膜2a,2bが形成されている。その上にキャップ膜3が形成され、その上に能動層となる多結晶シリコン膜4が形成され、その多結晶シリコン膜4にはソース・ドレイン領域5a,5bが形成されている。多結晶シリコン膜4において、各ソース・ドレイン領域5a,5b間のチャネル領域7の両端部は、非晶質シリコン膜6a,6bに置き代えられている。多結晶シリコン膜4および透明絶縁基板1の上にはゲート絶縁膜8が形成されている。チャネル領域7上には、ゲート絶縁膜8を介してゲート電極9が形成されている。デバイスの全面に層間絶縁膜10が形成さ、各膜8,10には各コンタクトホール11a,11bが形成され、各ソース・ドレイン電極12a,12bが形成されている。
Claim (excerpt)：
能動層の少なくとも一部が非晶質シリコン膜で形成された半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12
FI (2)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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